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FRAM器件性能測(cè)試 眼圖測(cè)試 抖動(dòng)測(cè)試 時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試

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發(fā)布時(shí)間: 2023-12-14 19:16
最后更新: 2023-12-14 19:16
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鐵電存儲(chǔ)器是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,它將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)的快速讀取和寫入訪問(wèn),它是個(gè)人電腦存儲(chǔ)中最常用的類型,與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力結(jié)合起來(lái)。由于鐵電存儲(chǔ)器不像動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)和靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)一樣密集,它很可能不能取代這些技術(shù)。由于它能在非常低的電能需求下快速地存儲(chǔ),它有望在消費(fèi)者的小型設(shè)備中得到廣泛地應(yīng)用,比如個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、手機(jī)、功率表、智能卡以及安全系統(tǒng)。鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)比閃存更快。在一些應(yīng)用上,它也有可能替代電可擦除只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)和靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM),并成為未來(lái)的無(wú)線產(chǎn)品的關(guān)鍵元件。

北京淼森波信息技術(shù)有限公司主要提供高速電路測(cè)試服務(wù)和儀器儀表租售業(yè)務(wù)。

高速電路測(cè)試服務(wù)項(xiàng)目有:① SI信號(hào)完整性測(cè)試,主要內(nèi)容是電源上電時(shí)序、復(fù)位、時(shí)鐘、I2C、SPI、Flash、DDR、JTAG接口、CPLD接口測(cè)試、URAT測(cè)試、網(wǎng)口測(cè)試、USB2.0/USB3.0測(cè)試、MIPI測(cè)試、HDMI測(cè)試、及板卡上其它芯片接口的信號(hào)測(cè)試。② PI電源完整性測(cè)試,主要內(nèi)容是電源的電壓值(精度)、電源噪聲/紋波、電壓上下波形、測(cè)量緩啟動(dòng)電路參數(shù)、電源電流和沖擊電流、電源告警信號(hào)、冗余電源的均流參數(shù)。③ 接口一致性測(cè)試,主要有以太網(wǎng)、USB2.0、USB3.0、MIPI、HDMI、SATA、Display Port、PCIE。



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