| 單價(jià)： | 面議 |
| 發(fā)貨期限： | 自買家付款之日起 天內(nèi)發(fā)貨 |
| 所在地： | 直轄市 北京 |
| 有效期至： | 長期有效 |
| 發(fā)布時(shí)間： | 2023-12-15 12:05 |
| 最后更新： | 2023-12-15 12:05 |
| 瀏覽次數(shù)： | 141 |
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1）TDQS概述：
我們能在任何一個(gè)內(nèi)存條的datasheet上看到TDQS/TDQS#的描述：
Redundant data strobe (x8 devices only): TDQS is enabled/disabled via the LOAD
MODE command to the extended mode register (EMR). When TDQS is enabled, DM is
disabled and TDQS and TDQS# provide termination resistance; otherwise, TDQS# are
no function.
2）TDQS/TDQS#功能：
DDR3中，加入了TDQS/TDQS#的功能，其引腳與DM復(fù)用。通過MR1寄存器進(jìn)行功能的選通（僅在x8的顆粒上使用；x4與x16的顆粒需要關(guān)閉該功能）：
DDR基礎(chǔ)知識之TDQS理解
該功能簡化了，x4與x8-RDIMMs混合使用的存儲器控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。x8的內(nèi)存條中每8bits需要一對DQS、x4的內(nèi)存條中每4bits需要一對DQS.在x4與x8混合使用的系統(tǒng)中，DQS信號的負(fù)載不同，而該不同會(huì)產(chǎn)生SI問題。
需要注意的是：在DDR3中，TDQS/TDQS#僅提供端接的功能。
3）舉例說明：
DDR基礎(chǔ)知識之TDQS理解
