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該解決方案可以替代現(xiàn)有的FRAM，MRAM和BBSRAM的方案，其具有SRAM高速讀寫，可無限次擦寫的優(yōu)點(diǎn)，斷電后，也可將數(shù)據(jù)長(zhǎng)期保留；適合既需要高速或高頻次反復(fù)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，又需要在斷電后能將數(shù)據(jù)保留的應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)備。
也可用于快速配置系統(tǒng)，利于系統(tǒng)快速啟動(dòng)和快速恢復(fù);性能遠(yuǎn)優(yōu)于FRAM，MRAM和BBSRAM，可取代現(xiàn)有的FRAM，MRAM，BBSRAM等多種NVRAM，提供更好的性能，相對(duì)同類型NVSRAM的競(jìng)爭(zhēng)者，在速度和功耗上均有較大優(yōu)勢(shì)，等多種重要應(yīng)用提供數(shù)據(jù)保障！