DDR控制信號(hào)測(cè)試,控制信號(hào)過(guò)沖測(cè)試,控制信號(hào)高低電平測(cè)試,高速信號(hào)穩(wěn)定性測(cè)試


什么是DDR1
有時(shí)候大家將老的存儲(chǔ)技術(shù) DDR 稱(chēng)為 DDR1 ，使之與 DDR2 加以區(qū)分。一般是使用 “DDR” ，但 DDR1 與 DDR 的含義相同。
DDR1規(guī)格
DDR-200: DDR-SDRAM 記憶芯片在100 MHz下運(yùn)行 DDR-266: DDR-SDRAM記憶芯片在133 MHz下運(yùn)行 DDR-333: DDR-SDRAM 記憶芯片在166 MHz下運(yùn)行 DDR-400: DDR-SDRAM 記憶芯片在200 MHz下運(yùn)行（JEDEC制定的DDR高規(guī)格） DDR-500: DDR-SDRAM 記憶芯片在250 MHz下運(yùn)行（非JEDEC制定的DDR規(guī)格） DDR-600: DDR-SDRAM 記憶芯片在300 MHz下運(yùn)行（非JEDEC制定的DDR規(guī)格） DDR-700: DDR-SDRAM 記憶芯片在350 MHz下運(yùn)行（非JEDEC制定的DDR規(guī)格）
什么是 DDR2
DDR2 是 DDR SDRAM 內(nèi)存的第二代產(chǎn)品。它在 DDR 內(nèi)存技術(shù)的基礎(chǔ)上加以改進(jìn)，從而其傳輸速度更快（可達(dá) 667MHZ ），耗電量更低，散熱性能更優(yōu)良 .
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)）進(jìn)行開(kāi)發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)大的不同就是，同是采用了在時(shí)鐘的上升/下降延進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸?shù)幕痉绞?，但DDR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)讀取能力（即：4bit數(shù)據(jù)預(yù)讀?。DR2內(nèi)存每個(gè)時(shí)鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫(xiě)數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運(yùn)行。


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