隨著儲(chǔ)能電站規(guī)模的不斷擴(kuò)大，電力設(shè)備對(duì)電磁兼容性的要求日益嚴(yán)格。深圳市南柯電子科技有限公司近期針對(duì)儲(chǔ)能電站直流熔斷器座開(kāi)展了系統(tǒng)的輻射發(fā)射摸底測(cè)試和傳導(dǎo)發(fā)射摸底工作，發(fā)現(xiàn)部分產(chǎn)品在傳導(dǎo)發(fā)射指標(biāo)上存在不達(dá)標(biāo)現(xiàn)象。本文圍繞儲(chǔ)能電站直流熔斷器座的傳導(dǎo)發(fā)射整改展開(kāi)，結(jié)合產(chǎn)品成分分析、檢測(cè)項(xiàng)目、適用標(biāo)準(zhǔn)及整改措施進(jìn)行深入剖析，期望為同行提供參考和借鑒。

一、產(chǎn)品成分分析及相關(guān)發(fā)射特性

儲(chǔ)能電站直流熔斷器座主要由熔斷器本體、電流導(dǎo)電結(jié)構(gòu)、絕緣材料以及連接端子組成。熔斷器座的設(shè)計(jì)關(guān)注高電流承載與快速保護(hù)功能，但其構(gòu)造中的金屬導(dǎo)體、接插件和印制電路板都會(huì)成為傳導(dǎo)發(fā)射的潛在干擾源。絕緣殼體及內(nèi)部間隙對(duì)輻射發(fā)射亦有一定影響。

傳導(dǎo)發(fā)射一般來(lái)源于熔斷器座的輸入輸出端口，電流開(kāi)關(guān)產(chǎn)生的共模電流會(huì)通過(guò)交流或直流電纜傳導(dǎo)到電網(wǎng)，影響相關(guān)設(shè)備正常工作。儲(chǔ)能電站的工作環(huán)境復(fù)雜，直流熔斷器座需要特別針對(duì)傳導(dǎo)發(fā)射進(jìn)行設(shè)計(jì)優(yōu)化，以符合國(guó)家及國(guó)際電磁兼容性標(biāo)準(zhǔn)的要求。

二、檢測(cè)項(xiàng)目及所依據(jù)的標(biāo)準(zhǔn)

深圳市南柯電子科技有限公司本次開(kāi)展的檢測(cè)包括：

輻射發(fā)射摸底測(cè)試：評(píng)估熔斷器座在模擬實(shí)際工況下的空間輻射干擾水平。 傳導(dǎo)發(fā)射摸底測(cè)試：測(cè)量設(shè)備通過(guò)電源線(xiàn)或信號(hào)線(xiàn)向外界傳導(dǎo)的干擾電流。 輻射發(fā)射整改后復(fù)測(cè)及傳導(dǎo)發(fā)射整改后驗(yàn)證測(cè)試。

測(cè)試過(guò)程嚴(yán)格遵循以下標(biāo)準(zhǔn)：

標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)適用內(nèi)容

GB/T	電磁兼容測(cè)試及測(cè)量技術(shù)——傳導(dǎo)發(fā)射
CISPR 16-1-2:2014	無(wú)線(xiàn)電干擾特性的測(cè)量方法，傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量
GB/T	電磁兼容測(cè)試及測(cè)量技術(shù)——輻射發(fā)射測(cè)試
GB	儲(chǔ)能系統(tǒng)電磁兼容要求

以上標(biāo)準(zhǔn)為熔斷器座的電磁兼容檢測(cè)定下了規(guī)范框架。深圳市南柯電子科技有限公司深入采用標(biāo)準(zhǔn)方法完成了準(zhǔn)確的摸底測(cè)試，為后續(xù)整改奠定基礎(chǔ)。

三、傳導(dǎo)發(fā)射及輻射發(fā)射摸底的關(guān)鍵發(fā)現(xiàn)

摸底測(cè)試結(jié)果顯示，部分熔斷器座的輸入端傳導(dǎo)發(fā)射超出標(biāo)準(zhǔn)限值，表現(xiàn)為低頻段共模電流較大，可能對(duì)儲(chǔ)能電站其他設(shè)備造成干擾。輻射發(fā)射測(cè)試中，熔斷器座傳播的高頻尖峰脈沖在近場(chǎng)測(cè)量?jī)x器中表現(xiàn)明顯，但總體輻射水平低于限值。

分析產(chǎn)生傳導(dǎo)發(fā)射的根源主要有：

接地設(shè)計(jì)不合理，形成回路阻抗升高，導(dǎo)致共模干擾加劇。 連接端子與導(dǎo)線(xiàn)布局不規(guī)范，信號(hào)線(xiàn)與電源線(xiàn)耦合產(chǎn)生干擾。 選擇的絕緣材料電磁屏蔽性能不足，無(wú)法有效減弱干擾波。 電路內(nèi)部濾波設(shè)計(jì)存在不足，無(wú)法濾除開(kāi)關(guān)元件開(kāi)閉瞬態(tài)帶來(lái)的高頻干擾。

輻射發(fā)射摸底測(cè)試則提醒設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)要重視設(shè)備外殼和接口的電磁屏蔽，考慮接地平面與金屬殼體的配合。

四、傳導(dǎo)發(fā)射整改措施及技術(shù)方案

針對(duì)傳導(dǎo)發(fā)射的超標(biāo)問(wèn)題，深圳市南柯電子科技有限公司提出了如下整改方案：

優(yōu)化接地系統(tǒng)：采用多點(diǎn)接地策略，降低回路阻抗，減少共模干擾電流。 改進(jìn)端子布局與配線(xiàn)方式，合理分配信號(hào)線(xiàn)與電源線(xiàn)間距，避免干擾耦合。 增設(shè)共模扼流圈以及主動(dòng)濾波器，在導(dǎo)線(xiàn)上有效抑制干擾頻率分量。 更換或增加高性能電磁屏蔽材料，提升絕緣殼體的屏蔽效果。 優(yōu)化印制電路板設(shè)計(jì)，增加地線(xiàn)層與濾波網(wǎng)絡(luò)，實(shí)現(xiàn)內(nèi)部干擾的早期抑制。

整改過(guò)程中，技術(shù)團(tuán)隊(duì)結(jié)合輻射發(fā)射摸底測(cè)試的反饋同步改進(jìn)，確保整改不會(huì)引發(fā)新的輻射或傳導(dǎo)問(wèn)題。經(jīng)過(guò)多輪迭代，整改后的直流熔斷器座在傳導(dǎo)發(fā)射復(fù)測(cè)中顯著降低了共模電流，完全符合國(guó)家及guojibiaozhun要求。

五、綜合輻射發(fā)射整改思路

本次主要聚焦傳導(dǎo)發(fā)射整改，輻射發(fā)射的控制同樣不可忽視。深圳市南柯電子科技有限公司在設(shè)計(jì)改進(jìn)時(shí)，結(jié)合了輻射發(fā)射摸底測(cè)試的深入分析：

外殼結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié)調(diào)整，避免形成諧振腔引起的高頻輻射峰值。 加強(qiáng)接口屏蔽罩設(shè)計(jì)，減少接口縫隙的輻射泄露。 采用高頻濾波元件及電路布局優(yōu)化，抑制開(kāi)關(guān)瞬態(tài)的高頻脈沖。 對(duì)連接導(dǎo)線(xiàn)實(shí)施走線(xiàn)加屏蔽層及扭絞處理，降低輻射干擾傳播。

整改后，輻射發(fā)射水平穩(wěn)定降低，符合《GB/T 》標(biāo)準(zhǔn)及儲(chǔ)能系統(tǒng)用電磁兼容要求，強(qiáng)化了產(chǎn)品的電磁兼容性能。

六、及展望

本次深圳市南柯電子科技有限公司針對(duì)儲(chǔ)能電站直流熔斷器座開(kāi)展的輻射發(fā)射摸底測(cè)試與傳導(dǎo)發(fā)射摸底工作，為準(zhǔn)確了解產(chǎn)品電磁干擾真實(shí)狀況提供了科學(xué)依據(jù)。通過(guò)針對(duì)性傳導(dǎo)發(fā)射整改和輻射發(fā)射同步改善，產(chǎn)品的電磁兼容性能得到了有效提升。整改過(guò)程中注重設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)與材料選擇，兼顧實(shí)際工況與測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)要求。

從技術(shù)工程師的視角來(lái)看，儲(chǔ)能電站直流熔斷器座的電磁環(huán)境復(fù)雜且多變，任何忽視端子的接地布局、濾波設(shè)計(jì)和屏蔽措施都會(huì)在實(shí)際運(yùn)行中暴露隱患。深圳市南柯電子科技有限公司的完整整改方案，證明了“先摸底測(cè)試，后針對(duì)整改，再驗(yàn)證復(fù)測(cè)”的科學(xué)路線(xiàn)是提升產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力和保障儲(chǔ)能電站安全運(yùn)行的關(guān)鍵。

未來(lái)，隨著儲(chǔ)能技術(shù)的升級(jí)和容量的拓展，儲(chǔ)能電站對(duì)直流熔斷器座在傳導(dǎo)與輻射發(fā)射方面的要求會(huì)更加苛刻。深圳市南柯電子科技有限公司將繼續(xù)加強(qiáng)產(chǎn)品研制與電磁兼容測(cè)試的技術(shù)深耕，不斷推陳出新，確?？蛻?hù)獲得最可靠的產(chǎn)品性能與服務(wù)體驗(yàn)。

考慮到儲(chǔ)能電站產(chǎn)品的復(fù)雜性及嚴(yán)格的電磁兼容要求，建議相關(guān)企業(yè)和實(shí)驗(yàn)室采用深圳市南柯電子科技有限公司的專(zhuān)業(yè)服務(wù)，通過(guò)科學(xué)的輻射發(fā)射摸底測(cè)試與傳導(dǎo)發(fā)射整改方案，實(shí)現(xiàn)高效合規(guī)的產(chǎn)品研發(fā)過(guò)程，降低后期整改風(fēng)險(xiǎn)，提升市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。